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技術文章/ article
掩模板清洗機是一款帶有小占地面積的理想設備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。掩模板清洗機技術確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的大化支持理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍...
熱真空試驗箱測試系統(tǒng)，用于極真空及可控均勻的加熱和冷卻循環(huán)套件下測試器件或樣品。該系統(tǒng)具有計算機控制、安全連鎖，以及多級密碼授權訪問保護的功能。它可以用于超過24小時的圈子全自動熱、冷循環(huán)情況下測試器件/樣品，溫度條件通過程序定義。該系統(tǒng)通常的應用之一是太空模擬。熱真空試驗箱腔體的大致尺寸為：直徑24"，長度43"。帶有一個16"x32"的滑動加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個平臺的溫度均勻度可達/-1...
NMC-4000(M)MOCVD設備概述：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5x10-7Torr極限真空)、PC全自動控制，*的安全互鎖。目前，這項技術延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成...
進口ALD設備原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。進口ALD設備特點：占地面積小計算機控制，Labview軟件全自動工藝控制360A厚的...
兆聲清洗機是以高頻(850kHz)振效應并結合化學清洗劑的化學反應對硅片進行清洗為原理的清洗設備。兆聲清洗機不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了它的不足。在清洗時，由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，大瞬時速度可達到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細小微粒被強制除去并進入到清洗液中。兆聲清洗機操作規(guī)程：1、遵守鑄造設備通用操作規(guī)程。2、工作前...
ICP刻蝕機是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。ICP刻蝕機主要特點：基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統(tǒng)，擁有快速的刻蝕能力；配套LabView軟件，菜單驅(qū)動，自動記錄數(shù)據(jù)；觸摸屏監(jiān)控；全自動系統(tǒng)，帶安全聯(lián)...
微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2,Si3N4,或DLC薄膜到z大可達6”直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無...
金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)是納米制造領域的一項著名技術，在大規(guī)模集成電路、絕緣材料、磁性材料、光電子材料領域有著*的重要地位。通過利用氣相間的反應，它能將蒸發(fā)的反應物沉積在表面形成薄膜，比如說石墨烯就是CVD廣為認知的產(chǎn)物，但目前看來，制備薄膜半導體材料也是它受重視的應用之一。金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)的原理：CVD的研究始于十九世紀末，主要用于重要材料的合成和制備。若想知道CVD是如何制造特定薄膜的，那就得先了解它的原理。CVD屬于“自下而上”的納米制造技術，其原理是把含有構成...
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