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全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)分類直流濺射法要求...

鍍膜是用物理或化學(xué)的方法在材料表面鍍上一層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變材料表面的反射和透射特性。在可見(jiàn)光和紅外線波段范圍內(nèi)，大多數(shù)金屬的反射率都可達(dá)到78%~98%，但不可高于98%。無(wú)論是對(duì)于CO2激光，采用銅、鉬、硅、鍺等來(lái)制作反射鏡，采用鍺、砷化鎵、硒化鋅作為輸出窗口和透射光學(xué)元件材料，還是對(duì)于YAG激光采用普通光學(xué)玻璃作為反射鏡、輸出鏡和透射光學(xué)元件材料，都不能達(dá)到全反射鏡的99%以上要求。不同應(yīng)用時(shí)輸出鏡有不同透過(guò)率的要求，因此必須采用光學(xué)鍍膜方法。對(duì)...

干法刻蝕技術(shù)*，在芯片制造的過(guò)程中，硅片表面圖形的形成主要依靠光刻和刻蝕兩大模塊。光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻膠圖形，刻蝕則緊接其后地將光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到襯底或襯底上的薄膜層上。隨著特征尺寸要求越來(lái)越小，對(duì)光刻和刻蝕的要求也越來(lái)越高。通常一個(gè)刻蝕工藝包含以下特性：良好的刻蝕速率均勻性(Uniformity)，不僅僅是片內(nèi)的均勻性(WithinWafer)，還包括片與片之間(WafertoWafer)，批次與批次之間(LottoLot)。高選擇比(HighSelecti...

Thispageintendstopresentthedifferentmajortechniquesusedinmicrofabricationtoetchamaterialsothatthelayeryou'vedepositedwilllettheshapeyouwantedappear.Etchingisalargeenoughsubjecttowriteawholeencyclopediaaboutit.Ijustwanttoshowthemaindifferenc...

Thispagetalkaboutthedifferentwaystodepositmaterialsinmicrotechnology(referedtowithbarbarianwordssuchaslpcvd,sputtering,evaporation-thermalａnde-beam,pecvdetc.).Itisnotatallexhaustive,butcorrespondstowhatIknow!Itisenoughtounderstandhowhighist...

Lithographyisthestepthatallowsthedefinitionofthepatternonthesubstrate:thankstoapolymerresist,ａndusingaradiationsexposure,itfabricatesamaskabovethematerialtobepatterned.Itisacriticalsteptogettheshapesofthemicrostructures,eitherinMEMSormicroe...

Lift-offprocessinmicrostructuringtechnologyisamethodofcreatingstructures(patterning)ofatargetmaterialonthesurfaceofasubstrate(ex.wafer)usingasacrificialmaterial(ex.Photoresist).Itisanadditivetechniqueasopposedtomoretraditionalsubtractingtec...