MidiSIMS-ToF-HR是一款高靈敏度、高質(zhì)量范圍、高分辨率的SIMS二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS），可以用于絕緣、導(dǎo)電表面的成像分析與化學(xué)成分分析，是研究表面化學(xué)的分析利器，適用于研發(fā)和工業(yè)質(zhì)量控制應(yīng)用。

SIMS二次離子質(zhì)譜儀主要通過(guò)離子源發(fā)射離子束濺射樣品表面進(jìn)行分析。離子束作為一次離子源，經(jīng)過(guò)一次離子光學(xué)系統(tǒng)的聚焦和傳輸，到達(dá)樣品表面。樣品表面經(jīng)過(guò)濺射，產(chǎn)生二次離子，系統(tǒng)將產(chǎn)生的二次離子提取和聚焦，并將二次離子送入離子飛行系統(tǒng)。在離子飛行系統(tǒng)中，不同種類的二次離子由于質(zhì)荷比不同，飛行速度也不同，在飛行系統(tǒng)分離，通過(guò)檢測(cè)這些離子進(jìn)行相關(guān)分析。

靜態(tài)SIMS是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)，能在只消耗樣品單層一小部分的情況下，獲得詳細(xì)的質(zhì)譜圖。被分析的分子來(lái)自固體表面前幾層，這對(duì)于探討材料關(guān)鍵區(qū)域例如附著力或催化等性質(zhì)至關(guān)重要。

賽恩公司（SAI）創(chuàng)新設(shè)計(jì)的MidiSIMS-ToF，該臺(tái)式設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間和配套設(shè)施要求極低，卻可全面支持靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（Static SIMS）、成像二次離子質(zhì)譜（Imaging SIMS）以及動(dòng)態(tài)（深度剖面）二次離子質(zhì)譜（Dynamic SIMS）三種工作模式。結(jié)合其高通量分析能力，相較于傳統(tǒng)的超高真空SIMS設(shè)備，單個(gè)樣品的檢測(cè)成本最*高可降低90%。憑借較低的單樣品分析成本，該系統(tǒng)非常適用于對(duì)少量元素及有機(jī)表面成分進(jìn)行常規(guī)檢測(cè)，是工業(yè)質(zhì)量控制應(yīng)用的理想解決方案。

SAI MidiSIMS 配備穩(wěn)定且具有防振功能的真空 腔體，并設(shè)有雙側(cè)對(duì)置的 114 mm 外徑離子槍端 口，可兼容多種高分辨率初級(jí)離子源（LMIS、 C60、GCIB、DUOplasmatron），適用于廣泛 的分析應(yīng)用。正交反射式飛行時(shí)間質(zhì)譜分析器支持 離子源在連續(xù)束模式下運(yùn)行，顯著提升成像性能； 結(jié)合高占空比工作模式，可實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集。此 外，系統(tǒng)采用高壓集成設(shè)計(jì)，大幅縮短樣品抽真空 時(shí)間，顯著提高。

MidiSIMS-ToF-HR儀器特點(diǎn)：

• 配備25KV液態(tài)金屬離子槍（LMIG）作為主要離子源，檢測(cè)能力更強(qiáng)，質(zhì)量分辨率更高；
  

• 具備表面成像和深度剖析功能；

• 提供的SIMS材料譜庫(kù)包含上千種材料的質(zhì)譜數(shù)據(jù)，可識(shí)別未知的化合物和材料；

• 可同時(shí)分析所有元素及有機(jī)物，可消除有機(jī)物和元素干擾，使譜圖更清晰，檢測(cè)限更低，能更有效地分析材料樣品；

• 專用數(shù)據(jù)處理軟件允許分析數(shù)據(jù)和樣品的化學(xué)構(gòu)成信息進(jìn)行全面的交互提取，其所有儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)都能用于溯源性分析；

• 正交反射型ToF質(zhì)譜儀

• 高占空比運(yùn)行模式

• 可選配能量過(guò)濾器、二次電子探測(cè)器（SED）及 電子束功能

MidiSIMS-ToF-HR應(yīng)用領(lǐng)域:

• 表面涂層和處理
  

• 電子元件和半導(dǎo)體
  

• 電極與傳感器
  

• 摩擦學(xué)及潤(rùn)滑劑
  

• 催化劑
  

• 粘合劑
  

• 薄膜等包裝材料
  

• 腐蝕研究

• 生物材料

• 污染物

• 存儲(chǔ)設(shè)備
  

• 大學(xué)教學(xué)與科研