NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，具有分形氣流分布優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。

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更新時(shí)間：2025-09-17
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產(chǎn)品詳情

PECVD沉積技術(shù)

NPE-4000(M)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO₂, Si₃N₄, 或DLC薄膜到z大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10^-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿(mǎn)足廣大范圍的要求，無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。

NPE-4000(M)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)應(yīng)用：

等離子誘導(dǎo)表面改性：就是通常所說(shuō)的用等離子實(shí)現(xiàn)表面改性(如親水性、疏水性等)
等離子清洗：去除有機(jī)污染物
等離子聚合：對(duì)材料表面產(chǎn)生聚合反應(yīng)
沉積二氧化硅、氮化硅、DLC(類(lèi)金剛石)，以及其它薄膜
CNT(碳納米管)和石墨烯的選擇性生長(zhǎng)：在需要的位置生長(zhǎng)CNT或石墨烯。

特點(diǎn)：

獨(dú)立型立式系統(tǒng)
不銹鋼或鋁制腔體
極限真空可達(dá)10-7Torr
RF淋浴頭，HCD或微波等離子源
高達(dá)12”(300mm)直徑的樣品臺(tái)
RF射頻偏壓樣品臺(tái)
水冷樣品臺(tái)
可加熱到的800 °C樣品臺(tái)
加熱的氣體管路
加熱的液體傳送單元
抗腐蝕的渦輪分子泵組
1路載體氣體以及3路反應(yīng)氣體，帶MFC
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪(fǎng)問(wèn)保護(hù)
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