NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統(tǒng)：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過(guò)大面積離子源產(chǎn)生的離子束，可對(duì)固體材料濺射刻蝕，對(duì)固體器件進(jìn)行微細(xì)加工。

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更新時(shí)間：2025-09-17
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產(chǎn)品詳情

IBM離子銑

NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品概述：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過(guò)大面積離子源產(chǎn)生的離子束，可對(duì)固體材料濺射刻蝕，對(duì)固體器件進(jìn)行微細(xì)加工。該系統(tǒng)為全自動(dòng)上下載片，計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的系統(tǒng)。

NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以?xún)?nèi)的同時(shí)，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達(dá)到想要的均勻度。

NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)：

14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺(tái)
晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)
步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜
自動(dòng)上下載晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問(wèn)保護(hù)
完整的安全聯(lián)鎖

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NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統(tǒng)：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過(guò)大面積離子源產(chǎn)生的離子束，可對(duì)固體材料濺射刻蝕，對(duì)固體器件進(jìn)行微細(xì)加工。

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